Name: MMUN2212LT1G
Brand: onsemi
SKU: MMUN2212LT1GOSTR-ND
Price: 3.5332 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

MMUN2212LT1G
Číslo produktu DigiKey	MMUN2212LT1GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) MMUN2212LT1GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) MMUN2212LT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	MMUN2212LT1G
Popis	TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Standardní dodací lhůta výrobce	44 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Bipolární tranzistor s předpěťovým obvodem (BJT) NPN - s předpěťovým obvodem 50 V 100 mA 246 mW Montáž na povrch SOT-23-3 (TO-236)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	MMUN2212LT1G Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Bipolární (BJT) Bipolární tranzistory - jednoduché a s předpěťovým obvodem	Odpor - emitor- báze (R2) 22 kOhms
Výrobce onsemi	Stejnosměrný proudový zisk (hFE) (min) při Ic, Vce 60 při 5mA, 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Saturace Vce (max) při Ib, Ic 250mV při 300µA, 10mA
Stav součásti Aktivní	Zbytkový proud kolektoru (max) 500nA
Typ tranzistoru NPN - s předpěťovým obvodem	Výkon - max 246 mW
Proud kolektoru (Ic) (max) 100 mA	Způsob montáže Montáž na povrch
Průrazné napětí kolektor - emitor (max) 50 V	Pouzdro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Včetně rezistorů R1 a R2	Dodávaná velikost pouzdra SOT-23-3 (TO-236)
Odpor - báze (R1) 22 kOhms	Základní číslo produktu MMUN2212

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (3)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
BCR142E6327HTSA1	Infineon Technologies	784	BCR142E6327HTSA1CT-ND	7,93000 Kč	Similar
DTD113EKT146	Rohm Semiconductor	3 859	DTD113EKT146CT-ND	11,89000 Kč	Similar
DTD114EKT146	Rohm Semiconductor	77 600	DTD114EKT146CT-ND	12,93000 Kč	Similar