HGTG30N60C3D onsemi | Diskrétní polovodičové produkty

HGTG30N60C3D je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

Microchip Technology

Skladem : 0

Jednotková cena : 63,79260 Kč

Similar

IXYS

Skladem : 0

Jednotková cena : 0,00000 Kč

Similar

Rochester Electronics, LLC

Skladem : 4 639

Jednotková cena : 81,23701 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory IGBT Jednoduché tranzistory IGBT
Výrobce	onsemi
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru IGBT	-
Průrazné napětí kolektor - emitor (max)	600 V
Proud kolektoru (Ic) (max)	63 A
Pulzní proud kolektoru (Icm)	252 A
Vce(zap) (max) při Vge, Ic	1,8V při 15V, 30A
Výkon - max	208 W
Spínací energie	1,05mJ (zap.), 2,5mJ (vyp.)
Typ vstupu	Standardní
Náboj hradla	162 nC
Td (zap/vyp) při 25°C	-
Zkušební podmínka	-
Doba zpětného zotavení (trr)	60 ns
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Průchozí otvor
Pouzdro	TO-247-3
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247-3
Základní číslo produktu	HGTG30