Name: HGTD1N120BNS9A
Brand: onsemi
SKU: HGTD1N120BNS9ATR-ND
Price: 57.7896 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

HGTD1N120BNS9A
Číslo produktu DigiKey	HGTD1N120BNS9ATR-ND - Páska a cívka (TR) HGTD1N120BNS9ACT-ND - Řezaná páska (CT) HGTD1N120BNS9ADKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	HGTD1N120BNS9A
Popis	IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	IGBT NPT 1200 V 5.3 A 60 W Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	HGTD1N120BNS9A Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory IGBT Jednoduché tranzistory IGBT	Spínací energie 70µJ (zap.), 90µJ (vyp.)
Výrobce onsemi	Typ vstupu Standardní
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Náboj hradla 14 nC
Stav součásti Aktivní	Td (zap/vyp) při 25°C 15ns/67ns
Typ tranzistoru IGBT NPT	Zkušební podmínka 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Průrazné napětí kolektor - emitor (max) 1200 V	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Proud kolektoru (Ic) (max) 5.3 A	Způsob montáže Montáž na povrch
Pulzní proud kolektoru (Icm) 6 A	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Vce(zap) (max) při Vge, Ic 2,9V při 15V, 1A	Dodávaná velikost pouzdra TO-252AA
Výkon - max 60 W	Základní číslo produktu HGTD1N120