FQP12P20 onsemi | Diskrétní polovodičové produkty

FQP12P20 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

Vishay Siliconix

Skladem : 0

Jednotková cena : 53,95000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FQP12P20
Číslo produktu DigiKey	FQP12P20-ND
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FQP12P20
Popis	MOSFET P-CH 200V 11.5A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 200 V 11,5A (Tc) 120W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FQP12P20 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	QFET®
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	11,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	470mOhm při 5,75A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1200 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	120W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-220-3
Pouzdro	TO-220-3
Základní číslo produktu	FQP12