Name: FQD8P10TM-F085
Brand: onsemi
SKU: FQD8P10TM-F085TR-ND
Price: 37.8125 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FQD8P10TM-F085
Číslo produktu DigiKey	FQD8P10TM-F085TR-ND - Páska a cívka (TR) FQD8P10TM-F085CT-ND - Řezaná páska (CT) FQD8P10TM-F085DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FQD8P10TM-F085
Popis	MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	11 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 100 V 6,6A (Tc) 2,5W (Ta), 44W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FQD8P10TM-F085 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	6,6A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	530mOhm při 3,3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	470 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 44W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252AA
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	FQD8P10