Name: FQD2N60CTM
Brand: onsemi
SKU: FQD2N60CTMTR-ND
Price: 35.574 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FQD2N60CTM
Číslo produktu DigiKey	FQD2N60CTMTR-ND - Páska a cívka (TR) FQD2N60CTMCT-ND - Řezaná páska (CT) FQD2N60CTMDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FQD2N60CTM
Popis	MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 1,9A (Tc) 2,5W (Ta), 44W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 12 nC @ 10 V
Řada QFET®	Vgs (max) ±30V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 235 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta), 44W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-252AA
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 1,9A (Tc)	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu FQD2N60
Rds zap (max) při Id, Vgs 4,7Ohm při 950mA, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (2)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
AOD2N60	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	34 999	785-1180-1-ND	25,41000 Kč	Similar
SIHFRC20TR-GE3	Vishay Siliconix	1 326	742-SIHFRC20TR-GE3CT-ND	30,03000 Kč	Similar