FQD13N06TM je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


onsemi
Skladem : 5 522
Jednotková cena : 23,58000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 1 255
Jednotková cena : 44,84000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 2 540
Jednotková cena : 44,84000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 4 490
Jednotková cena : 44,84000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 887
Jednotková cena : 42,31000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 11,75516 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 42,31000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 4 645
Jednotková cena : 50,73000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Taiwan Semiconductor Corporation
Skladem : 4 942
Jednotková cena : 20,21000 Kč
Katalogový list
TO-252AA
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
TO-252AA
TO-252AA

FQD13N06TM

Číslo produktu DigiKey
FQD13N06TMTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FQD13N06TM
Popis
MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 60 V 10A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
140mOhm při 5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
310 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
2,5W (Ta), 28W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-252AA
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.
Nezrušitelné/nevratné