Name: FQD11P06TM
Brand: onsemi
SKU: FQD11P06TMTR-ND
Price: 37.8125 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FQD11P06TM
Číslo produktu DigiKey	FQD11P06TMTR-ND - Páska a cívka (TR) FQD11P06TMCT-ND - Řezaná páska (CT) FQD11P06TMDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FQD11P06TM
Popis	MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	8 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 9,4A (Tc) 2,5W (Ta), 38W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FQD11P06TM Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	QFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	9,4A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	185mOhm při 4,7A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	550 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 38W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252AA
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	FQD11P06