FQB33N10LTM onsemi | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FQB33N10LTM
Číslo produktu DigiKey	FQB33N10LTMTR-ND - Páska a cívka (TR) FQB33N10LTMCT-ND - Řezaná páska (CT) FQB33N10LTMDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FQB33N10LTM
Popis	MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 33A (Tc) 3,75W (Ta), 127W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 40 nC @ 5 V
Řada QFET®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1630 pF @ 25 V
Stav součásti Zastaralé	Rozptylový výkon (Max) 3,75W (Ta), 127W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-263 (D2PAK)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 33A (Tc)	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 5V, 10V	Základní číslo produktu FQB33N10
Rds zap (max) při Id, Vgs 52mOhm při 16,5A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (4)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
FCB070N65S3	onsemi	2 150	FCB070N65S3CT-ND	174,56000 Kč	MFR Recommended
PHB27NQ10T,118	Nexperia USA Inc.	4 804	1727-4763-1-ND	46,30000 Kč	Similar
PHB45NQ10T,118	Nexperia USA Inc.	608	1727-4766-1-ND	58,40000 Kč	Similar
STB40NF10LT4	STMicroelectronics	857	497-3736-1-ND	73,62000 Kč	Similar