FQB33N10LTM onsemi | Diskrétní polovodičové produkty

FQB33N10LTM
Číslo produktu DigiKey	FQB33N10LTMTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FQB33N10LTM
Popis	MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 33A (Tc) 3,75W (Ta), 127W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	QFET®
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	33A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	52mOhm při 16,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	40 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1630 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,75W (Ta), 127W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-263 (D2PAK)
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	FQB33N10