FQB10N50CFTM-WS je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


onsemi
Skladem : 7 198
Jednotková cena : 92,83000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 281
Jednotková cena : 109,67000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 700
Jednotková cena : 105,04000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 59
Jednotková cena : 320,80000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 1 599
Jednotková cena : 219,76000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 366
Jednotková cena : 88,41000 Kč
Katalogový list
TO-263
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
TO-263
TO-263

FQB10N50CFTM-WS

Číslo produktu DigiKey
FQB10N50CFTM-WSTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FQB10N50CFTM-WS
Popis
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 500 V 10A (Tc) 143W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FQB10N50CFTM-WS Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
610mOhm při 5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2210 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
143W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-263 (D2PAK)
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.