Name: FGB40T65SPD-F085
Brand: onsemi
SKU: FGB40T65SPD-F085TR-ND
Price: 163.3742 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FGB40T65SPD-F085
Číslo produktu DigiKey	FGB40T65SPD-F085TR-ND - Páska a cívka (TR) FGB40T65SPD-F085CT-ND - Řezaná páska (CT) FGB40T65SPD-F085DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FGB40T65SPD-F085
Popis	IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-263
Standardní dodací lhůta výrobce	14 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	IGBT Trench Zarážka signálu 650 V 80 A 267 W Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory IGBT Jednoduché tranzistory IGBT	Typ vstupu Standardní
Výrobce onsemi	Náboj hradla 36 nC
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Td (zap/vyp) při 25°C 18ns/35ns
Stav součásti Aktivní	Zkušební podmínka 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Typ tranzistoru IGBT Trench Zarážka signálu	Doba zpětného zotavení (trr) 34 ns
Průrazné napětí kolektor - emitor (max) 650 V	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Proud kolektoru (Ic) (max) 80 A	Způsob montáže Montáž na povrch
Pulzní proud kolektoru (Icm) 120 A	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Vce(zap) (max) při Vge, Ic 2,4V při 15V, 40A	Dodávaná velikost pouzdra TO-263 (D2PAK)
Výkon - max 267 W	Základní číslo produktu FGB40T65
Spínací energie 970µJ (zap.), 280µJ (vyp.)