Name: FGA60N65SMD
Brand: onsemi
SKU: FGA60N65SMDFS-ND
Price: 166.1693 CZK
Availability: InStock

IGBT Zarážka signálu 650 V 120 A 600 W Průchozí otvor TO-3P

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FGA60N65SMD
Číslo produktu DigiKey	FGA60N65SMDFS-ND
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FGA60N65SMD
Popis	IGBT FIELD STOP 650V 120A TO-3P
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	IGBT Zarážka signálu 650 V 120 A 600 W Průchozí otvor TO-3P
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory IGBT Jednoduché tranzistory IGBT	Typ vstupu Standardní
Výrobce onsemi	Náboj hradla 189 nC
Balení Trubice	Td (zap/vyp) při 25°C 18ns/104ns
Stav součásti Aktivní	Zkušební podmínka 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Typ tranzistoru IGBT Zarážka signálu	Doba zpětného zotavení (trr) 47 ns
Průrazné napětí kolektor - emitor (max) 650 V	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Proud kolektoru (Ic) (max) 120 A	Způsob montáže Průchozí otvor
Pulzní proud kolektoru (Icm) 180 A	Pouzdro TO-3P-3, SC-65-3
Vce(zap) (max) při Vge, Ic 2,5V při 15V, 60A	Dodávaná velikost pouzdra TO-3P
Výkon - max 600 W	Základní číslo produktu FGA60N65
Spínací energie 1,54mJ (zap.), 450µJ (vyp.)

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 2 020

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	137,33000 Kč	137,33 Kč
30	78,42767 Kč	2 352,83 Kč
120	65,47350 Kč	7 856,82 Kč
510	55,97778 Kč	28 548,67 Kč
1 020	55,07508 Kč	56 176,58 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.