FDV304P_NB8U003 onsemi | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

FDV304P_NB8U003 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Direct

onsemi

Skladem : 18 071

Jednotková cena : 10,84000 Kč

Similar

Nexperia USA Inc.

Skladem : 0

Jednotková cena : 10,43000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDV304P_NB8U003
Číslo produktu DigiKey	FDV304P_NB8U003-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDV304P_NB8U003
Popis	MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 25 V 460mA (Ta) 350mW (Ta) Montáž na povrch SOT-23-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1,5V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 1.5 nC @ 4.5 V
Balení Páska a cívka (TR)	Vgs (max) -8V
Stav součásti Zastaralé	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 63 pF @ 10 V
Typ tranzistoru FET P-kanál	Rozptylový výkon (Max) 350mW (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 25 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 460mA (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra SOT-23-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 2,7V, 4,5V	Pouzdro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,1Ohm při 500mA, 4,5V	Základní číslo produktu FDV30