Name: FDS86140
Brand: onsemi
SKU: FDS86140TR-ND
Price: 110.0132 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDS86140
Číslo produktu DigiKey	FDS86140TR-ND - Páska a cívka (TR) FDS86140CT-ND - Řezaná páska (CT) FDS86140DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDS86140
Popis	MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 11,2A (Ta) 2,5W (Ta), 5W (Tc) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 41 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2580 pF @ 50 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta), 5W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOIC
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 11,2A (Ta)	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu FDS86
Rds zap (max) při Id, Vgs 9,8mOhm při 11,2A, 10V