FDS3512 onsemi | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDS3512
Číslo produktu DigiKey	FDS3512TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDS3512
Popis	MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 4A (Ta) 2,5W (Ta) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 18 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR)	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 634 pF @ 40 V
Stav součásti Zastaralé	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOIC
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 4A (Ta)	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu FDS35
Rds zap (max) při Id, Vgs 70mOhm při 4A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (2)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
FDS3590	onsemi	2 485	FDS3590CT-ND	33,60000 Kč	MFR Recommended
RS6N120BHTB1	Rohm Semiconductor	2 504	846-RS6N120BHTB1CT-ND	81,47000 Kč	Similar

Zastaralý

Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.

Alternativní možnosti nákupu

3 894Skladem

Možnost nákupu