Name: FDS2582
Brand: onsemi
SKU: FDS2582TR-ND
Price: 52.5987 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDS2582
Číslo produktu DigiKey	FDS2582TR-ND - Páska a cívka (TR) FDS2582CT-ND - Řezaná páska (CT) FDS2582DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDS2582
Popis	MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Standardní dodací lhůta výrobce	45 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 4,1A (Ta) 2,5W (Ta) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 25 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1290 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 150 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOIC
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 4,1A (Ta)	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu FDS25
Rds zap (max) při Id, Vgs 66mOhm při 4,1A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (3)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
PJL9480_R2_00001	Panjit International Inc.	2 165	3757-PJL9480_R2_00001CT-ND	1,41000 Kč	Similar
RS6R035BHTB1	Rohm Semiconductor	2 354	846-RS6R035BHTB1CT-ND	2,78000 Kč	Similar
RS6R060BHTB1	Rohm Semiconductor	4 742	846-RS6R060BHTB1CT-ND	3,73000 Kč	Similar