Name: FDN5618P
Brand: onsemi
SKU: FDN5618PTR-ND
Price: 19.3116 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDN5618P
Číslo produktu DigiKey	FDN5618PTR-ND - Páska a cívka (TR) FDN5618PCT-ND - Řezaná páska (CT) FDN5618PDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDN5618P
Popis	MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Standardní dodací lhůta výrobce	30 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 1,25A (Ta) 500mW (Ta) Montáž na povrch SOT-23-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDN5618P Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 13.8 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 430 pF @ 30 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 500mW (Ta)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Dodávaná velikost pouzdra SOT-23-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 1,25A (Ta)	Pouzdro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu FDN5618
Rds zap (max) při Id, Vgs 170mOhm při 1,25A, 10V