Name: FDMS86252L
Brand: onsemi
SKU: FDMS86252LTR-ND
Price: 3.8115 USD
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDMS86252L
Číslo produktu DigiKey	FDMS86252LTR-ND - Páska a cívka (TR) FDMS86252LCT-ND - Řezaná páska (CT) FDMS86252LDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDMS86252L
Popis	MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 4,4A (Ta) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Montáž na povrch 8-PQFN (5x6)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDMS86252L Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 21 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1335 pF @ 75 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta), 50W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 150 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-PQFN (5x6)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 4,4A (Ta)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu FDMS86252
Rds zap (max) při Id, Vgs 56mOhm při 4,4A, 10V