Name: FDMS86150ET100
Brand: onsemi
SKU: FDMS86150ET100TR-ND
Price: 226.1248 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDMS86150ET100
Číslo produktu DigiKey	FDMS86150ET100TR-ND - Páska a cívka (TR) FDMS86150ET100CT-ND - Řezaná páska (CT) FDMS86150ET100DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDMS86150ET100
Popis	MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 16A (Ta), 128A (Tc) 3,3W (Ta), 187W (Tc) Montáž na povrch 8-PQFN (5x6)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 62 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4065 pF @ 50 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 3,3W (Ta), 187W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-PQFN (5x6)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 16A (Ta), 128A (Tc)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu FDMS86150
Rds zap (max) při Id, Vgs 4,85mOhm při 16A, 10V