Name: FDMS8050ET30
Brand: onsemi
SKU: FDMS8050ET30TR-ND
Price: 140.5657 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDMS8050ET30
Číslo produktu DigiKey	FDMS8050ET30TR-ND - Páska a cívka (TR) FDMS8050ET30CT-ND - Řezaná páska (CT) FDMS8050ET30DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDMS8050ET30
Popis	MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 55A (Ta), 423A (Tc) 3,3W (Ta), 180W (Tc) Montáž na povrch 8-PQFN (5x6)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 750µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 285 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 22610 pF @ 15 V
Stav součásti Není určeno pro nové konstrukce	Rozptylový výkon (Max) 3,3W (Ta), 180W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-PQFN (5x6)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 55A (Ta), 423A (Tc)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu FDMS8050
Rds zap (max) při Id, Vgs 0,65mOhm při 55A, 10V