Name: FDMC86262P
Brand: onsemi
SKU: FDMC86262PTR-ND
Price: 51.3282 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDMC86262P
Číslo produktu DigiKey	FDMC86262PTR-ND - Páska a cívka (TR) FDMC86262PCT-ND - Řezaná páska (CT) FDMC86262PDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDMC86262P
Popis	MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 150 V 2A (Ta), 8,4A (Tc) 2,3W (Ta), 40W (Tc) Montáž na povrch 8-MLP (3,3x3,3)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 13 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±25V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 885 pF @ 75 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,3W (Ta), 40W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 150 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-MLP (3,3x3,3)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2A (Ta), 8,4A (Tc)	Pouzdro 8-PowerWDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu FDMC86262
Rds zap (max) při Id, Vgs 307mOhm při 2A, 10V