Name: FDMC86261P
Brand: onsemi
SKU: FDMC86261PTR-ND
Price: 72.4064 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDMC86261P
Číslo produktu DigiKey	FDMC86261PTR-ND - Páska a cívka (TR) FDMC86261PCT-ND - Řezaná páska (CT) FDMC86261PDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDMC86261P
Popis	MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Standardní dodací lhůta výrobce	33 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 150 V 2,7A (Ta), 9A (Tc) 2,3W (Ta), 40W (Tc) Montáž na povrch 8-MLP (3,3x3,3)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 24 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±25V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1360 pF @ 75 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,3W (Ta), 40W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 150 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-MLP (3,3x3,3)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2,7A (Ta), 9A (Tc)	Pouzdro 8-PowerWDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu FDMC86261
Rds zap (max) při Id, Vgs 160mOhm při 2,4A, 10V