Name: FDMC86102LZ
Brand: onsemi
SKU: FDMC86102LZTR-ND
Price: 71.6441 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDMC86102LZ
Číslo produktu DigiKey	FDMC86102LZTR-ND - Páska a cívka (TR) FDMC86102LZCT-ND - Řezaná páska (CT) FDMC86102LZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDMC86102LZ
Popis	MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 7A (Ta), 18A (Tc) 2,3W (Ta), 41W (Tc) Montáž na povrch 8-MLP (3,3x3,3)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDMC86102LZ Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,2V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 22 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1290 pF @ 50 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,3W (Ta), 41W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-MLP (3,3x3,3)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 7A (Ta), 18A (Tc)	Pouzdro 8-PowerWDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu FDMC86102
Rds zap (max) při Id, Vgs 24mOhm při 6,5A, 10V