Name: FDMC4435BZ
Brand: onsemi
SKU: FDMC4435BZTR-ND
Price: 44.2134 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDMC4435BZ
Číslo produktu DigiKey	FDMC4435BZTR-ND - Páska a cívka (TR) FDMC4435BZCT-ND - Řezaná páska (CT) FDMC4435BZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDMC4435BZ
Popis	MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Standardní dodací lhůta výrobce	37 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 8,5A (Ta), 18A (Tc) 2,3W (Ta), 31W (Tc) Montáž na povrch 8-MLP (3,3x3,3)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 46 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±25V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2045 pF @ 15 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,3W (Ta), 31W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-MLP (3,3x3,3)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 8,5A (Ta), 18A (Tc)	Pouzdro 8-PowerWDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu FDMC4435
Rds zap (max) při Id, Vgs 20mOhm při 8,5A, 10V