FDG8850NZ onsemi | Pole FET, MOSFET

FDG8850NZ je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

Nexperia USA Inc.

Skladem : 340

Jednotková cena : 12,39000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDG8850NZ
Číslo produktu DigiKey	FDG8850NZTR-ND - Páska a cívka (TR) FDG8850NZCT-ND - Řezaná páska (CT) FDG8850NZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDG8850NZ
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC88
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 750mA 300mW Montáž na povrch SC-88 (SC-70-6)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDG8850NZ Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 400mOhm při 750mA, 4,5V
Výrobce onsemi	Vgs(th) (max) při Id 1,5V při 250µA
Řada PowerTrench®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 1,44nC při 4,5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 120pF při 10V
Stav součásti Zastaralé	Výkon - max 300mW
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Dodávaná velikost pouzdra SC-88 (SC-70-6)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 750mA	Základní číslo produktu FDG8850