Name: FDD86367
Brand: onsemi
SKU: FDD86367OSTR-ND
Price: 80.5376 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDD86367
Číslo produktu DigiKey	FDD86367OSTR-ND - Páska a cívka (TR) FDD86367OSCT-ND - Řezaná páska (CT) FDD86367OSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDD86367
Popis	MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	41 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 100A (Tc) 227W (Tj) Montáž na povrch TO-252 (DPAK)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDD86367 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 88 nC @ 10 V
Mfr onsemi	Vgs (max) ±20V
Řada PowerTrench®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4840 pF @ 40 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 227W (Tj)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 100A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-252 (DPAK)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Rds zap (max) při Id, Vgs 4,2mOhm při 80A, 10V	Základní číslo produktu FDD863
Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA