FDD6670A onsemi | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDD6670A
Číslo produktu DigiKey	FDD6670ATR-ND - Páska a cívka (TR) FDD6670ACT-ND - Řezaná páska (CT)
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDD6670A
Popis	MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 15A (Ta), 66A (Tc) 3,2W (Ta), 63W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 22 nC @ 5 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT)	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1755 pF @ 15 V
Stav součásti Zastaralé	Rozptylový výkon (Max) 3,2W (Ta), 63W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 155°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-252AA
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 15A (Ta), 66A (Tc)	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu FDD6670
Rds zap (max) při Id, Vgs 8mOhm při 15A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (3)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
DMN3010LK3-13	Diodes Incorporated	0	31-DMN3010LK3-13CT-ND	24,36000 Kč	Similar
IPD075N03LGATMA1	Infineon Technologies	6 634	IPD075N03LGATMA1CT-ND	24,57000 Kč	Similar
IPD090N03LGATMA1	Infineon Technologies	93 382	IPD090N03LGATMA1CT-ND	23,52000 Kč	Similar