Name: FDD306P
Brand: onsemi
SKU: FDD306PTR-ND
Price: 41.1642 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDD306P
Číslo produktu DigiKey	FDD306PTR-ND - Páska a cívka (TR) FDD306PCT-ND - Řezaná páska (CT) FDD306PDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDD306P
Popis	MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
Standardní dodací lhůta výrobce	30 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 12 V 6,7A (Ta) 52W (Ta) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDD306P Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1,5V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 21 nC @ 4.5 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±8V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1290 pF @ 6 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 52W (Ta)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 12 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-252AA
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 6,7A (Ta)	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 1,8V, 4,5V	Základní číslo produktu FDD306
Rds zap (max) při Id, Vgs 28mOhm při 6,7A, 4,5V