Name: FDD10AN06A0
Brand: onsemi
SKU: FDD10AN06A0TR-ND
Price: 70.0469 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDD10AN06A0
Číslo produktu DigiKey	FDD10AN06A0TR-ND - Páska a cívka (TR) FDD10AN06A0CT-ND - Řezaná páska (CT) FDD10AN06A0DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDD10AN06A0
Popis	MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Standardní dodací lhůta výrobce	19 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 11A (Ta), 50A (Tc) 135W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDD10AN06A0 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	PowerTrench®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	11A (Ta), 50A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	10,5mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	37 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1840 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	135W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252AA
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	FDD10AN06