Name: FDC6306P
Brand: onsemi
SKU: FDC6306PTR-ND
Price: 24.4783 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDC6306P
Číslo produktu DigiKey	FDC6306PTR-ND - Páska a cívka (TR) FDC6306PCT-ND - Řezaná páska (CT) FDC6306PDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDC6306P
Popis	MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 1,9A 700mW Montáž na povrch SuperSOT™-6
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDC6306P Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 170mOhm při 1,9A, 4,5V
Výrobce onsemi	Vgs(th) (max) při Id 1,5V při 250µA
Řada PowerTrench®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 4,2nC při 4,5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 441pF při 10V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 700mW
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace 2 P-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20V	Dodávaná velikost pouzdra SuperSOT™-6
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 1,9A	Základní číslo produktu FDC6306