Name: FDB38N30U
Brand: onsemi
SKU: FDB38N30UTR-ND
Price: 120.1772 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDB38N30U
Číslo produktu DigiKey	FDB38N30UTR-ND - Páska a cívka (TR) FDB38N30UCT-ND - Řezaná páska (CT) FDB38N30UDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDB38N30U
Popis	MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	14 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 300 V 38A (Tc) 313W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 5V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 73 nC @ 10 V
Řada UniFET™	Vgs (max) ±30V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3340 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 313W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 300 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-263 (D2PAK)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 38A (Tc)	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu FDB38N30
Rds zap (max) při Id, Vgs 120mOhm při 19A, 10V