Name: FDB33N25TM
Brand: onsemi
SKU: FDB33N25TMTR-ND
Price: 85.0388 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDB33N25TM
Číslo produktu DigiKey	FDB33N25TMTR-ND - Páska a cívka (TR) FDB33N25TMCT-ND - Řezaná páska (CT) FDB33N25TMDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDB33N25TM
Popis	MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 250 V 33A (Tc) 235W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDB33N25TM Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 5V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 48 nC @ 10 V
Řada UniFET™	Vgs (max) ±30V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2135 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 235W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 250 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-263 (D2PAK)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 33A (Tc)	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu FDB33N25
Rds zap (max) při Id, Vgs 94mOhm při 16,5A, 10V