Name: FDB12N50TM
Brand: onsemi
SKU: FDB12N50TMTR-ND
Price: 77.682 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDB12N50TM
Číslo produktu DigiKey	FDB12N50TMTR-ND - Páska a cívka (TR) FDB12N50TMCT-ND - Řezaná páska (CT) FDB12N50TMDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDB12N50TM
Popis	MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	8 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 500 V 11,5A (Tc) 165W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	UniFET™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	11,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	650mOhm při 6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1315 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	165W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-263 (D2PAK)
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	FDB12N50