Similar
Similar
Similar
Similar
Similar




FDB039N06 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | FDB039N06TR-ND - Páska a cívka (TR) |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | FDB039N06 |
Popis | MOSFET N-CH 60V 120A TO263 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 60 V 120A (Tc) 231W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK) |
Modely EDA/CAD | FDB039N06 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 133 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Páska a cívka (TR) | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 8235 pF @ 25 V |
Stav součásti Zastaralé | Rozptylový výkon (Max) 231W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Montáž na povrch |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V | Dodávaná velikost pouzdra TO-263 (D2PAK) |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 3,9mOhm při 75A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB029N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | 2 661 | IPB029N06N3GATMA1CT-ND | 75,71000 Kč | Similar |
| IPB037N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | 3 682 | IPB037N06N3GATMA1CT-ND | 81,96000 Kč | Similar |
| IPB80N06S405ATMA2 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPB80N06S405ATMA2CT-ND | 72,79000 Kč | Similar |
| NP82N055PUG-E1-AY | Renesas Electronics Corporation | 0 | NP82N055PUG-E1-AYTR-ND | 28,96725 Kč | Similar |
| PSMN4R6-60BS,118 | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-7122-1-ND | 63,82000 Kč | Similar |





