Name: FDB035N10A
Brand: onsemi
SKU: FDB035N10ATR-ND
Price: 7.1027 USD
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDB035N10A
Číslo produktu DigiKey	FDB035N10ATR-ND - Páska a cívka (TR) FDB035N10ACT-ND - Řezaná páska (CT) FDB035N10ADKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDB035N10A
Popis	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 120A (Tc) 333W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDB035N10A Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 116 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 7295 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 333W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-263 (D2PAK)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 120A (Tc)	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu FDB035
Rds zap (max) při Id, Vgs 3,5mOhm při 75A, 10V