Name: FDB0260N1007L
Brand: onsemi
SKU: FDB0260N1007LTR-ND
Price: 291.6826 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDB0260N1007L
Číslo produktu DigiKey	FDB0260N1007LTR-ND - Páska a cívka (TR) FDB0260N1007LCT-ND - Řezaná páska (CT) FDB0260N1007LDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDB0260N1007L
Popis	MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 200A (Tc) 3,8W (Ta), 250W (Tc) Montáž na povrch TO-263-7
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 118 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 8545 pF @ 50 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 3,8W (Ta), 250W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-263-7
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 200A (Tc)	Pouzdro TO-263-7, D2PAK (6 přívodů + výstupek)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu FDB0260
Rds zap (max) při Id, Vgs 2,6mOhm při 27A, 10V