Name: FDB0260N1007L
Brand: onsemi
SKU: FDB0260N1007LTR-ND
Price: 273.3027 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

FDB0260N1007L
Číslo produktu DigiKey	FDB0260N1007LTR-ND - Páska a cívka (TR) FDB0260N1007LCT-ND - Řezaná páska (CT) FDB0260N1007LDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDB0260N1007L
Popis	MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 200A (Tc) 3,8W (Ta), 250W (Tc) Montáž na povrch TO-263-7
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	PowerTrench®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	200A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,6mOhm při 27A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	118 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	8545 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,8W (Ta), 250W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-263-7
Pouzdro	TO-263-7, D2PAK (6 přívodů + výstupek)
Základní číslo produktu	FDB0260

Jednotková cena bez DPH:	225,87000 Kč
Jednotková cena s DPH:	273,30270 Kč

FDB0260N1007L