Name: FDB024N08BL7
Brand: onsemi
SKU: FDB024N08BL7TR-ND
Price: 152.702 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDB024N08BL7
Číslo produktu DigiKey	FDB024N08BL7TR-ND - Páska a cívka (TR) FDB024N08BL7CT-ND - Řezaná páska (CT) FDB024N08BL7DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDB024N08BL7
Popis	MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Standardní dodací lhůta výrobce	52 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 120A (Tc) 246W (Tc) Montáž na povrch TO-263-7
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 178 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 13530 pF @ 40 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 246W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-263-7
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 120A (Tc)	Pouzdro TO-263-7, D2PAK (6 přívodů + výstupek)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu FDB024
Rds zap (max) při Id, Vgs 2,4mOhm při 100A, 10V