Name: FCMT080N65S3
Brand: onsemi
SKU: 488-FCMT080N65S3TR-ND
Price: 180.1448 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FCMT080N65S3
Číslo produktu DigiKey	488-FCMT080N65S3TR-ND - Páska a cívka (TR) 488-FCMT080N65S3CT-ND - Řezaná páska (CT) 488-FCMT080N65S3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FCMT080N65S3
Popis	MOSFET N-CH 650V 38A 4TDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 38A (Tc) 260W (Tc) Montáž na povrch 4-TDFN (8 x 8)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 880µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 71 nC @ 10 V
Řada SuperFET® III	Vgs (max) ±30V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2765 pF @ 400 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 260W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Dodávaná velikost pouzdra 4-TDFN (8 x 8)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 38A (Tc)	Pouzdro 4-PowerTSFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu FCMT080
Rds zap (max) při Id, Vgs 80mOhm při 19A, 10V