
FCH085N80-F155 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | FCH085N80-F155-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | FCH085N80-F155 |
Popis | MOSFET N-CH 800V 46A TO247 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 800 V 46A (Tc) 446W (Tc) Průchozí otvor TO-247-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | FCH085N80-F155 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 4,6mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 255 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 10825 pF @ 100 V |
Stav součásti Zastaralé | Rozptylový výkon (Max) 446W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 800 V | Dodávaná velikost pouzdra TO-247-3 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 85mOhm při 23A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | 1 632 | 448-IPW60R070C6FKSA1-ND | 235,18000 Kč | Similar |
| SCT3060ALGC11 | Rohm Semiconductor | 862 | SCT3060ALGC11-ND | 344,79000 Kč | Similar |
| SIHG33N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 463 | 742-SIHG33N60EF-GE3-ND | 177,64000 Kč | Similar |
| SIHG40N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 322 | SIHG40N60E-GE3-ND | 180,37000 Kč | Similar |
| SIHW47N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHW47N65E-GE3-ND | 84,91067 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 381,95000 Kč | 381,95 Kč |
| 30 | 238,68433 Kč | 7 160,53 Kč |
| 120 | 218,52267 Kč | 26 222,72 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 381,95000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 462,15950 Kč |

