DTC123EET1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Direct


Diodes Incorporated
Skladem : 3 000
Jednotková cena : 7,51000 Kč
Katalogový list

Direct


Rohm Semiconductor
Skladem : 2 865
Jednotková cena : 7,09000 Kč
Katalogový list

Direct


Nexperia USA Inc.
Skladem : 125
Jednotková cena : 2,92000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 8 656
Jednotková cena : 4,80000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 3 855
Jednotková cena : 4,17000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,91563 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 1 444
Jednotková cena : 6,26000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 0
Jednotková cena : 7,09000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 446
Jednotková cena : 7,09000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 60 929
Jednotková cena : 7,09000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 21 261
Jednotková cena : 7,09000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 2 712
Jednotková cena : 10,22000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 5,01000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 2,71000 Kč
Katalogový list
Bipolární tranzistor s předpěťovým obvodem (BJT) NPN - s předpěťovým obvodem 50 V 100 mA 200 mW Montáž na povrch SC-75, SOT-416
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DTC123EET1

Číslo produktu DigiKey
DTC123EET1-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
DTC123EET1
Popis
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Bipolární tranzistor s předpěťovým obvodem (BJT) NPN - s předpěťovým obvodem 50 V 100 mA 200 mW Montáž na povrch SC-75, SOT-416
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
DTC123EET1 Modely
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Odpor - emitor- báze (R2)
2.2 kOhms
Výrobce
onsemi
Stejnosměrný proudový zisk (hFE) (min) při Ic, Vce
8 při 5mA, 10V
Balení
Páska a cívka (TR)
Saturace Vce (max) při Ib, Ic
250mV při 5mA, 10mA
Stav součásti
Zastaralé
Zbytkový proud kolektoru (max)
500nA
Typ tranzistoru
NPN - s předpěťovým obvodem
Výkon - max
200 mW
Proud kolektoru (Ic) (max)
100 mA
Způsob montáže
Montáž na povrch
Průrazné napětí kolektor - emitor (max)
50 V
Pouzdro
SC-75, SOT-416
Včetně rezistorů
R1 a R2
Dodávaná velikost pouzdra
SC-75, SOT-416
Odpor - báze (R1)
2.2 kOhms
Základní číslo produktu
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (19)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
DDTC123EE-7Diodes Incorporated3 000DDTC123EEDICT-ND7,51000 KčDirect
DTC123EETLRohm Semiconductor2 865DTC123EETLCT-ND7,09000 KčDirect
PDTC123EU,115Nexperia USA Inc.1251727-1706-1-ND2,92000 KčDirect
DDTC123TCA-7-FDiodes Incorporated8 656DDTC123TCA-FDICT-ND4,80000 KčSimilar
DDTC123TE-7-FDiodes Incorporated3 855DDTC123TE-FDICT-ND4,17000 KčSimilar
Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.
Nezrušitelné/nevratné