Name: BSS123LT1G
Brand: onsemi
SKU: BSS123LT1GOSTR-ND
Price: 7.5746 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSS123LT1G
Číslo produktu DigiKey	BSS123LT1GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) BSS123LT1GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) BSS123LT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	BSS123LT1G
Popis	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Standardní dodací lhůta výrobce	44 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Montáž na povrch SOT-23-3 (TO-236)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSS123LT1G Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,6V při 1mA
Mfr onsemi	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 20 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 225mW (Ta)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra SOT-23-3 (TO-236)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 170mA (Ta)	Pouzdro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu BSS123
Rds zap (max) při Id, Vgs 6Ohm při 100A, 10V