Name: AFGB40T65SQDN
Brand: onsemi
SKU: AFGB40T65SQDNOSTR-ND
Price: 166.9316 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AFGB40T65SQDN
Číslo produktu DigiKey	AFGB40T65SQDNOSTR-ND - Páska a cívka (TR) AFGB40T65SQDNOSCT-ND - Řezaná páska (CT) AFGB40T65SQDNOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	AFGB40T65SQDN
Popis	IGBT 650V 80A TO-263
Standardní dodací lhůta výrobce	15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	IGBT 650 V 80 A 238 W Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	AFGB40T65SQDN Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory IGBT Jednoduché tranzistory IGBT	Náboj hradla 76 nC
Výrobce onsemi	Td (zap/vyp) při 25°C 17,6ns/75,2ns
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Zkušební podmínka 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Stav součásti Aktivní	Doba zpětného zotavení (trr) 131 ns
Průrazné napětí kolektor - emitor (max) 650 V	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Proud kolektoru (Ic) (max) 80 A	Třída Automobilový průmysl
Pulzní proud kolektoru (Icm) 160 A	Kvalifikace AEC-Q101
Vce(zap) (max) při Vge, Ic 2,1V při 15V, 40A	Způsob montáže Montáž na povrch
Výkon - max 238 W	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Spínací energie 858µJ (zap.), 229µJ (vyp.)	Dodávaná velikost pouzdra TO-263 (D2PAK)
Typ vstupu Standardní	Základní číslo produktu AFGB40