2SC2712GT1G není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent

2SC2712-GR,LXHF
Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 899
Jednotková cena : 0,26000 Kč
Katalogový list

Parametrický ekvivalent

NXP3875GR
Nexperia USA Inc.
Skladem : 2 888
Jednotková cena : 0,21000 Kč
Katalogový list
Zobrazit a porovnat všechny náhrady
Bipolární tranzistor (BJT) NPN 50 V 150 mA 80MHz 200 mW Montáž na povrch SC-59
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
Bipolární tranzistor (BJT) NPN 50 V 150 mA 80MHz 200 mW Montáž na povrch SC-59
SC 59

2SC2712GT1G

Číslo produktu DigiKey
488-2SC2712GT1G-ND
Výrobce
onsemi
Číslo produktu výrobce
2SC2712GT1G
Popis
TRANS NPN 50V 0.15A SC-59
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Bipolární tranzistor (BJT) NPN 50 V 150 mA 80MHz 200 mW Montáž na povrch SC-59
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
onsemi
Řada
-
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti DigiKey
Typ tranzistoru
NPN
Proud kolektoru (Ic) (max)
150 mA
Průrazné napětí kolektor - emitor (max)
50 V
Saturace Vce (max) při Ib, Ic
250mV při 10mA, 100mA
Zbytkový proud kolektoru (max)
100nA (ICBO)
Stejnosměrný proudový zisk (hFE) (min) při Ic, Vce
200 při 2mA, 6V
Výkon - max
200 mW
Přechodový kmitočet
80MHz
Provozní teplota
150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodávaná velikost pouzdra
SC-59
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady.