2N7002LT1H onsemi | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

2N7002LT1H je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

onsemi

Skladem : 687 729

Jednotková cena : 0,21000 Kč

Similar

Diodes Incorporated

Skladem : 174

Jednotková cena : 0,21000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

2N7002LT1H
Číslo produktu DigiKey	2N7002LT1H-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	2N7002LT1H
Popis	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 115mA (Tc) 225mW (Ta) Montáž na povrch SOT-23-3 (TO-236)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	2N7002LT1H Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs (max) ±20V
Mfr onsemi	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 50 pF @ 25 V
Balení Páska a cívka (TR)	Rozptylový výkon (Max) 225mW (Ta)
Stav součásti Zastaralé	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 115mA (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra SOT-23-3 (TO-236)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 5V, 10V	Pouzdro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds zap (max) při Id, Vgs 7,5Ohm při 500mA, 10V	Základní číslo produktu 2N7002
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA