NTMFS4H01NFT1G onsemi | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTMFS4H01NFT1G
Číslo produktu DigiKey	NTMFS4H01NFT1G-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTMFS4H01NFT1G
Popis	MOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFN
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 25 V 54A (Ta), 334A (Tc) 3,2W (Ta), 125W (Tc) Montáž na povrch 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	25 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	54A (Ta), 334A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,7mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	82 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5538 pF @ 12 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,2W (Ta), 125W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pouzdro	8-PowerTDFN, 5 přívodů
Základní číslo produktu	NTMFS4