Name: PSMN9R8-100YSFX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN9R8-100YSFXTR-ND
Price: 52.5987 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

PSMN9R8-100YSFX
Číslo produktu DigiKey	1727-PSMN9R8-100YSFXTR-ND - Páska a cívka (TR) 1727-PSMN9R8-100YSFXCT-ND - Řezaná páska (CT) 1727-PSMN9R8-100YSFXDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	PSMN9R8-100YSFX
Popis	NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 80A (Tc) 147W (Tc) Montáž na povrch LFPAK56, Napájení-SO8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 1mA
Mfr Nexperia USA Inc.	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 50.4 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3384 pF @ 50 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 147W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 80A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra LFPAK56, Napájení-SO8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 7V, 10V	Pouzdro SC-100, SOT-669
Rds zap (max) při Id, Vgs 10,2mOhm při 20A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 1 322

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)