Name: PSMN3R9-100YSFX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN3R9-100YSFXTR-ND
Price: 82.5704 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

PSMN3R9-100YSFX
Číslo produktu DigiKey	1727-PSMN3R9-100YSFXTR-ND - Páska a cívka (TR) 1727-PSMN3R9-100YSFXCT-ND - Řezaná páska (CT) 1727-PSMN3R9-100YSFXDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	PSMN3R9-100YSFX
Popis	MOSFET N-CH 100V 120A LFPAK56
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 120A (Tc) 245W (Tc) Montáž na povrch LFPAK56; Power-SO8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 1mA
Mfr Nexperia USA Inc.	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 111 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 7360 pF @ 50 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 245W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 120A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra LFPAK56; Power-SO8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 7V, 10V	Pouzdro SOT-1023, 4-LFPAK
Rds zap (max) při Id, Vgs 4,3mOhm při 25A, 10V	Základní číslo produktu PSMN3R9