Name: PSMN1R1-80CSFJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R1-80CSFJTR-ND
Price: 226.8871 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

PSMN1R1-80CSFJ
Číslo produktu DigiKey	1727-PSMN1R1-80CSFJTR-ND - Páska a cívka (TR) 1727-PSMN1R1-80CSFJCT-ND - Řezaná páska (CT) 1727-PSMN1R1-80CSFJDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	PSMN1R1-80CSFJ
Popis	NEXTPOWER 80 V, 1.16 MOHM, N-CHA
Standardní dodací lhůta výrobce	13 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 400A (Ta) 1,071kW (Tc) Montáž na povrch CCPAK1212i
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 1mA
Mfr Nexperia USA Inc.	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 206 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 15363 pF @ 40 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 1,071kW (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 400A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra CCPAK1212i
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 7V, 10V	Pouzdro 12-BESOP (0,370", 9,40mm šířka), Podložka pro odvod tepla
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,16mOhm při 25A, 10V