Name: PSMN1R1-80ASFJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R1-80ASFJTR-ND
Price: 265.6555 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

PSMN1R1-80ASFJ
Číslo produktu DigiKey	1727-PSMN1R1-80ASFJTR-ND - Páska a cívka (TR) 1727-PSMN1R1-80ASFJCT-ND - Řezaná páska (CT) 1727-PSMN1R1-80ASFJDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	PSMN1R1-80ASFJ
Popis	NEXTPOWER 80 V, 1.11 MOHM, N-CHA
Standardní dodací lhůta výrobce	13 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 385A (Tc) 935W (Tc) Montáž na povrch CCPAK1212
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Nexperia USA Inc.
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	385A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	7V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,11mOhm při 25A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	363 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	24627 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	935W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	CCPAK1212
Pouzdro	12-BESOP (0,370", 9,40mm šířka), Podložka pro odvod tepla